外延自掺杂效应（self-doping effect by epitaxy），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体外延生长，在材料的外延生长过程中，衬底/外延层中的杂质由于热蒸发或化学反应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的杂质进入界面层，改变边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致外延层中杂质的实际分布偏离理想状况的现象。与扩散、离子注入等掺杂方法的主要不同之处是掺杂源为外延过程中的产物，而非有意引入。一般情况下，在材料外延过程中需要通过调控工艺条件等对外延自掺杂效应进行抑制。主要因为：①外延自掺杂的存在降低了衬底/外延层界面过渡区的陡峭程度，改变了界面附近外延材料的杂质梯度，使外延层的有效厚度变薄，将会改变所研制器件的击穿等性能。②外延过程中的自掺杂效应增加了外延材料的背景载流子浓度，不利于外延材料的电阻率控制，所研制器件的噪声特性也将受到影响。减小外延自掺杂效应的方法有衬底的优化选择、外延生长前对衬底进行高温处理、低温低压外延生长等，外延生长时可以根据需要采用某种或某几种方法。也可利用外延自掺杂效应获得一定性能的材料。