半导体薄膜制备（preparation of semiconductor thin films），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体薄膜制备，在任何衬底上生长多晶、微晶及非晶薄膜的技术。一般生长温度比外延生长的要低。最常用的方法是化学气相沉积（CVD）。CVD又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子增强CVD（PECVD）和光CVD（PCVD）等方法。其淀积温度按上列次序递减（在900～100℃范围内变化）。淀积压力可从常压到7帕。反应能可用热能、辉光放电能、光能提供。在实际应用中，淀积的薄膜必须满足下列要求：膜厚均匀，薄膜的结构和成分是可控的，制备上可重复，价廉，容易实现自动化和安全生产。 对具有很小尺寸的超大规模集成电路（VLSI）器件要求精密的光刻，有各向异性的图形转换和很浅的结。这些条件对淀积薄膜工艺提出了新的要求，主要是淀积温度低，以防止浅结的移动；在各向异性腐蚀的表面上有保持图形的台阶覆盖，使其工艺诱发缺陷少以及生产效率高。