温度梯度凝固法（temperature gradient freezing method），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，一种熔体生长单晶的技术。其原理是通过控制缓慢降温来精密移动晶体生长界面，从而实现单晶的生长。通过专用的生长炉建立具有一定长度和极低的纵向和径向温度梯度的温区，将置于温区PBN坩埚内的多晶料完全熔化后使其从一端到另一端逐渐结晶生长单晶。生长单晶时需在低温端放置单晶籽晶以便获得具有单一晶向的单晶锭。尽管其整个生长过程无法观察，但借助于热场的理论模拟分析和调控技术，用该方法生长的砷化镓单晶和锗单晶都可以达到相当高的成晶率。与布里奇曼法生长单晶类似，其生长装置有垂直和水平两种形式，其中垂直生长方法最早于20世纪80年代由美国贝尔实验室的学者发表。圆形的晶锭普遍采用垂直生长方式获得。该方法设备较为简单、无须传动机构、温度梯度可适当调控，适合生长低位错密度的晶体。已用于大批量商业化生产直径2～4英寸的低位错密度砷化镓、磷化铟和锗等单晶材料。