电致发光法测量（electro luminescence measurement），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[光学测量]，研究半导体材料的能带结构、电子态、辐射发光过程等本征性质以及杂质和缺陷的有关性质的重要方法。半导体材料发光是半导体中电子从高能态跃迁到低能态时以发射光子的形式进行辐射的复合跃迁过程。电致发光为材料在电流注入或电场雪崩激发下发光的现象，主要过程为：通过电流注入或电场雪崩激励产生非平衡载流子，包括在导带中产生电子，在价带中产生空穴；非平衡载流子发生空间扩散和能量上的转移，大部分载流子将弛豫到能带底部，少部分载流子将进入与杂质和缺陷有关的处于禁带中的局域态；最后，电子和空穴越过禁带或通过禁带中的局域态发生辐射复合产生而发光。将电致发光强度按光子能量或波长分布绘制成曲线即得到电致发光光谱。通过对电致发光光谱的分析，可以获得半导体材料结构（包括多量子阱等复杂结构）、电子态、杂质和缺陷、量子效率等信息，也可以获得辐射复合与非辐射复合之间相互竞争的信息。