深能级瞬态能谱（deep level transient spectroscopy），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[电学测量]，研究半导体中深中心（深能级杂质和缺陷）物理性质的一种技术。简称DLTS。通过深能级瞬态能谱技术，可以得到半导体中深中心的浓度、俘获截面、能级位置等。20世纪60年代C.T.萨支塘（Sah）提出利用PN结电容（电流）瞬态变化测量深能杂质性质的实验方法，1974年贝尔实验室的D.V.郎基于这一方法提出深能级瞬态能谱技术。它实际上可看成是变温（PN）结瞬态电容和率窗讯号处理技术巧妙结合的一个实验技术。