位移损伤效应（displacement damage；effect of displacement injury），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-辐射加固-位移损伤，由于辐射粒子的作用导致材料结构或晶体点阵中的原子产生位移，使器件材料内部产生缺陷，从而导致器件相关性能逐步下降，甚至最终丧失的现象。又称非电离总剂量效应。大量的辐射粒子进入半导体器件材料内部，与材料的原子核发生弹性碰撞作用，导致材料晶格原子出现移位，脱离其正常位置，形成间隙原子和点阵空位这样的缺陷中心。这些空位-间隙原子对，称为弗伦克尔(Frenkel)缺陷，其破坏了晶格的位能，在禁带中，形成新的电子能级，可以充当载流子的产生复合中心。同时粒子与材料作用所产生的声子激发出二次电子。位移损伤效应取决于入射粒子的通量、粒子种类和粒子能量。辐射产生的位移损伤所造成的器件退化也是长期累积的结果，与总剂量效应具有的长期退化特性相似，但机理不同，因此采取的抗辐射措施不同。位移损伤主要来源于中子和高能质子。对于中子辐照，其能量损失机制并不是以产生电子-空穴对为主。