电离辐射效应（ionizing radiation effect），理学-物理学-原子核物理学-〔核技术应用〕，因辐射与物质相互作用产生电子-空穴对，导致辐射损伤的现象。辐射环境中的高能粒子入射半导体器件材料，将会引起半导体材料电离，造成各种形式的失效。空间中的电离辐射效应主要包括单粒子效应和总剂量效应。①单粒子效应。指单个高能粒子在穿过微电子器件的灵敏区时，在其轨迹上沉积电荷。这些电荷被器件电极收集，造成器件逻辑状态的改变或器件损坏。单粒子效应将引起存储信息的翻转、闩锁、电压和电流的瞬时扰动，严重时将引起栅氧击穿甚至器件的烧毁等。②总剂量效应。指在长期辐照过程中，多次粒子入射造成半导体材料中的电荷累积而引起器件的失效。总剂量效应主要影响的是氧化层和界面区域。它将造成晶体管的阈值电压漂移、跨导减小、沟道和结漏流增加、场氧边缘漏电流增加，甚至引起栅氧击穿等。