磷化铟外延（indium phosphide epitaxy），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体外延生长，在磷化铟或其他衬底上生长磷化铟薄膜的技术。外延方法有液相外延、氯化物气相外延、氢化物气相外延、金属有机化合物气相外延（MOVPE）、分子束外延（MBE）等。液相外延、氯化物气相外延和氢化物气相外延因简便快速而适合厚层外延，但在多层、多元组分、掺杂、界面质量等方面具有很大的局限性；MOVPE和MBE方法可实现厚度、组分、掺杂和界面的精确控制。①磷化铟的MOVPE同质外延，采用氢气携带的铟有机化合物（三甲基铟或三乙基铟）蒸汽、磷的氢化物（磷烷）作为晶体生长的源材料，以热分解方式在衬底上进行外延生长磷化铟薄层单晶。三甲基铟In(CH3)3和磷烷PH3反应生长磷化铟的化学反应过程可简化为：In(CH3)3+PH3→InP+3CH4②磷化铟的MOVPE异质外延，在磷化铟衬底上生长多种化合物半导体，如铟镓砷、铟铝砷、铟镓砷磷、铟镓砷锑等，以此为基础可组合成多种结构材料，如异质结、超晶格、量子点等微结构材料。