合成反铁磁结构是在两铁磁层之间插入隔层Ru，当Ru层厚度小于1 nm时，Ru层两侧的铁磁层具有强烈的反铁磁耦合作用，这种反铁磁耦合效应有效地提高了钉扎场，明显减小隔离层的静磁耦合作用和减少被钉扎层的退磁场，同时Ru层对原子扩散还有一定的抑制作用。用直流磁控溅射方法制备了双合成反铁磁结构Co90Fe10(5 nm)/Ru(xnm)/Co90Fe10(3 nm)/Ru(ynm)/Co90Fe10(5nm)(x=0·45，0·45，1·00；y=0·45，1·00，1·00)的系列样品，并对样品的性能及其作为钉扎层对自旋阀巨磁电阻(GMR)效应的影响进行了研究。结果表明，双合成反铁磁结构比普通合成反铁磁结构Co90Fe10(5 nm)/Ru(0·5 nm)/Co90Fe10(3 nm)具有更优越的性能，并且双合成反铁磁结构作为钉扎层对自旋阀的GMR有很大提高。