将一个孤立的过渡金属离子放到正八面体配位的晶体中时，五个d轨道都受到配位体负电荷的排斥，轨道的总能级提高; 由于在正八面体配位场中配位体质点处于直角坐标的三个垂直轴的方向，故dr轨道电子云的瓣指向配位体，使两个dr 轨道电子的被排斥力比de轨道电子的被排斥力大，dr轨道电子的能级要比dε轨道电子的能级升高得更多，dr轨道电子能级与dε轨道电子能级间的能量差，称为晶体场分裂能。以△表示。例如在八面体场yd轨道分裂为味与。u两组。分裂能乙er卜标u为八面休)二从。一}'，xE = lOD } ( T)，}称场强参数)。晶体场分裂能的大小与配位化合物的几何构型、配位体电场强度和中心原子(离子)电荷及周期位置有关。分裂能和电子成对能决定配位化合物.卜价电子的排布。