透明衬底（transparent substrate），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，LED中与有源层发射光无相互作用的底部结构。工作在可见光谱范围中的AlGaInP LED通常是在晶格匹配的GaAs衬底上外延生长得到的，但室温下GaAs的禁带宽度有1.424eV，对于发射光波长为560～660纳米的有源层光子有吸收作用。在一般的结构中，衬底往往都比较厚，这样就更加放大了GaAs衬底的吸收作用，导致由GaAs外延生长而来的LED器件光取出效率较低。为了解决这一问题，在1994年，有科学家通过化学刻蚀方法将器件中原有的GaAs衬底移除，并将芯片结构与具有更大禁带宽度的GaP衬底结合。由于GaP的禁带宽度为2.24eV，对波长大于553纳米的光没有吸收作用，因此避免了衬底对光的吸收，提高了LED器件的光取出效率。在基于GaN的高效率蓝光LED实现之后，商业化LED芯片多使用以蓝宝石衬底的GaN系LED。蓝宝石衬底虽然透明，但对发射光仍有部分遮挡，同时其自身不具备导电性，无法制备带垂直电极结构的LED芯片。