极化掺杂（polarization doping），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体材料〕，利用极化调制效应对半导体材料掺杂的一种方法。在极性化合物半导体中，通过极化调制效应使得施主杂质或受主杂质离化至离化能较低的能级，从而降低施主或受主激活能来实现n型或p型的一种掺杂方法。该方法最常用的一种实现手段是通过组分渐变引入调制的极化电场，使得电子或空穴不再局限于准二维分布，能有效降低载流子的输运势垒。相较于传统的掺杂方式，极化掺杂能实现较高的载流子迁移率、稳定的掺杂效率且受温度影响较小。极化掺杂在Ⅲ族氮化物等极性化合物半导体中得到广泛应用。