缺陷态（defect state），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，由固体中缺陷引入的电子态。缺陷态是由缺陷破坏了晶格周期结构的原子或原子团而产生的特殊电子态。研究缺陷态需要针对具体情况进行具体分析。一般按晶体缺陷的维度划分，常见的缺陷可归为三大类：点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷是零维缺陷，包括空位、间隙和反位，如图1所示。其中空位用于描述固体周期性晶格位置原子的丢失，通常也称为肖特基缺陷；间隙用于表示晶格原子之间多出来的原子；反位用于表示固体化合物或合金中不同类型原子之间的错误占位。这些点缺陷的组合会形成新的缺陷，如近邻的空位和间隙原子形成新的缺陷，又称为弗仑克尔缺陷对。线缺陷是一维缺陷，用于描述晶格中某一条线（位错线）周围原子错位排布现象，主要包括刃位错、螺位错和它们的组合。位错可以视为晶面原子的整体滑移造成的结果，完整描述位错需要用到伯格斯矢量（指明滑移方向）和位错线两个参数。对于刃位错，晶面的滑移方向与位错线方向垂直，其结果表现为某一晶面在晶体内部的终结，如图2所示。螺位错则相反，晶面的滑移方向与位错线方向相平行。