铝铟砷（aluminum indium arsenide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体，由砷化铝（AlAs）和砷化铟（InAs）形成的替位固溶体半导体材料。化学式为Al1-xInxAs，x可取1至0之间的任意组分。禁带宽度与组分近似关系：（电子伏）或（电子伏）。相应地，常温时其禁带宽度从砷化铟（InAs）的0.355电子伏（直接带隙）到砷化铝（AlAs）的3.0电子伏（间接带隙）连续可调。铝铟砷单晶的晶格为立方晶系的闪锌矿结构，与镓铟砷（GaInAs）晶格常数非常相近。与磷化铟（InP）晶格匹配的Al0.48In0.52As是直接带隙材料，禁带宽度是1.45电子伏，主要用作半导体近红外发光材料的限制层。铝铟砷的制备方法主要有金属有机化学气相沉积（MOCVD，见金属有机化合物气相外延）和分子束外延（MBE）等。