热施主缺陷

（物理学名词）
热施主缺陷，直拉单晶硅在300~500摄氏度范围进行热处理，会产生大量的施主，使n型单晶硅的载流子浓度增加，电阻率下降，而使p型硅载流子浓度被复合而电阻率上升，最终能转换成n型硅。
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