高电子迁移率晶体管

高电子迁移率晶体管(highmobilitytransistor) 利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。