磷化镓
(元素)
人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由Ⅲ族元素镓(Ga)与V族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
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