本征击穿

温度较低、电压作用时间较短时，纯净、均匀固体电介质由绝缘状态突变为良导电状态的过程。本征击穿过程所需时间为10-8s数量级，本征击穿场强大于1MW/cm，反映了固体电介质本身固有的电气强度。在汇集实验数据的基础上，对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达。根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同，依据禁带宽度Eg值对材料进行明确统一分类的定量判据，击穿场判据。计算了出多种重要的二元化合物半导体及高k栅介质的本征击穿电场预期值。