中子束是描述中子通量的物理量。中子束品质的好坏可用下面几个指标衡量:1.准直器出口处的中子注量率;2.中子束的张角;3.中子束中的杂质,包括具有不希望能量的中子及y射线;4.本底,根据本底来源可分为中子束相关及不相关两种,束相关本底来源于束中子在样品、空气及周围物质上产生的散射中子及下射线,本底要尽可能低。随着国际、国内散裂中子源的发展,中子通量越来越高,对束流监测器的要求也随之提高,除了需要实时监测中子束的强度外,还要具有良好的二维位置分辨使之能实时地监测中子束斑的形状,同时提供好的时间分辨用于测量中子波长。目前,基于涂硼GEM的中子探测技术已成为新型中子探测器研究的热点,也是新一代中子束流监测器的热点技术。