Silicide通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中主要用为：导体接触(OhmicContact)单向能阻接触(SchottkyBarrierContact)低阻闸极(GateElectrode)组件间通路(Interconnect)在VLSI(超大型积逞电路)时代中，接面深度及界面接触面积分别降至次微米及1-2平方毫米。以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的穿入半导靠问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日益受重视。用于集成电路中的金属硅化物限于近贵重(Pt，Pd，Co，Ni，…)及高温金属(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。