闭锁效应

（半导体相关）
Latchup:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极,防止闭锁的方法很多，最简单的方式就是把CMOS的n阱（内有PMOS）与NMOS彼此间的远离而不发生。不过这将使半导体组件在芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防闭锁的方法是'外延硅底材（EPIsubstrate）'
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