MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流。而MOS型是由电场效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)加入电场来控制某动作，制程上比较简单，也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后﹒NMOS的功率消耗还是太大了，于是由P-MOS及N-MOS组合而成速度更高、电力消耗更少的互补式金氧半导体(CMOS，ComplementaryMOS)遂成为主流。