氮化镓单晶生长

氮化镓单晶生长（gallium nitride single crystal growth），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，镓源、氮源或氮化镓多晶在一定温度、压力、浓度、介质等条件下生长成氮化镓单晶的技术。氮化镓在其熔点（2300℃的分解压达6万个大气压，在高温下分解为镓和氮气，无法用传统的熔体方法生长单晶。其单晶生长方法主要有氢化物气相外延法、氨热法、高压氮气溶液法和钠助熔剂法4种。