离子束调控（control by ion beam implantation），工学-核技术-〔离子束技术〕，通过离子束注入改变材料微观结构，从而改变材料电学和光学等性能的技术。1950年，R.奥尔（R.Ohl）等人发布了第一个离子束半导体掺杂的专利。20世纪50～60年代，离子源和离子注入技术得到很大发展。60～70年代，人们发现将一定能量的硼、磷或其他元素的离子注入到半导体材料中能够形成p-n结。90年代以后,离子束可以用来制造光学波导。离子束注入可以调控半导体掺杂深度和浓度，制造特定的集成电路。掺杂深度由改变离子能量控制；掺杂浓度通过积分离子流强度控制。离子注入方法的可重复性、可靠性比扩散法好。离子注入掺杂已在半导体大规模集成电路生产中广泛应用，并取代扩散掺杂。离子束还可调控材料的光学吸收性质，从而设计太赫兹及可见光的波导。离子注入材料可导致微观结构和电子结构变化，使材料光学吸收和折射率都发生变化，构成特定空间分布的不同透射率的光学波导。用钒和氮共掺杂的二氧化钛薄膜具有更宽的光响应范围和更高的光催化效率。硅离子注入磷酸钛氧钾晶体可制备出脊形波导。离子束可调控材料的电学性能。