王占国，男，汉族，1938年12月29日生于河南省镇平县，1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员，半导体材料物理学家。半导体材料物理王占国学家。1938年12月29日生于河南省南阳市镇平县。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同-缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaA