水平区熔法生长单晶（crystal growth by horizontal zone melting method），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，利用水平区熔法原理制备单晶的技术。属熔体生长的一种。1952年W.G.范发明区域熔化法，主要用于材料提纯，也可用于生长单晶。而简单的一次区域熔化具有区熔匀平的作用。当一个熔区通过一个起始浓度均匀的锭料时，在两端产生浓度不均匀的区域，而在中间相当大的部位有一个浓度平坦均匀的区域，其浓度分布见图1。其初始区和平坦区与W.T.里德所推导的方程表示的曲线相符。方程为：式中为锭料浓度；为平均浓度；为一系数；为锭料长度；为距离。最后一个熔区符合一次定向结晶分布。故此法沿锭条分布均匀。图1 一具有均匀的平均浓度的原料，经过一个熔区后溶质的近似浓度分布1953年，范等建立水平区熔法生长锗单晶的装置。盛有锗的石墨舟置于石英管内，通过感应加热形成熔区，熔区沿籽晶移动生长成单晶。现已实现工业化生产。1960年，理查兹为适应具有挥发性组分的砷化镓晶体的特点，采用水平两温区区熔法生长砷化镓单晶。