半导体光电流

半导体光电流（semiconductor photocurrent），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[光学测量]，当具有一定能量的光子照射到半导体时，半导体因吸收入射光而产生光生载流子，光生载流子通过扩散、漂移等过程所形成的电流。半导体光电流的形成主要依靠光电导型探测器和光伏型探测器两种器件，这两种探测器形成光电流的物理过程有所不同。①光电导型探测器，由一个普通的半导体材料和两个电极组成。当入射光照射到光电导探测器上，光生载流子在外加电场作用下通过漂移形成光电流。其中光生电子的寿命可能远超过一个电子从一个电极漂移到另一个电极所需的时间，当一个电子在电场作用下到达正电极时，负电极必须同时释放一个电子，以保持样品的电中性，这种过程一直持续到光生载流子复合的发生。因此，光电导探测器每吸收一个光子就能使许多个电子相继通过两个电极，产生光电流增益（或光电导增益），这种增益通过牺牲响应速度而获得。②光伏型探测器，由PN结（包括PIN结、异质结等）、肖特基结等构成，存在一定强度的内建电场。