光化学气相沉积(Photo-CVD)是于20世纪80年代初期发展起来的低温成膜工艺。所谓光化学气相沉积(Photo-CVD)是将光能引入化学气相沉积系统，使参与化学反应的源气体分子对光子进行选择性吸收，通过反应剂分子的气相光分解，表面光分解，光敏化反应以及衬底表面加热等途径，可使原在高温下才能形成高质量薄膜的材料，在100~300℃的衬底温度下形成薄膜。因为反应气体的分子进行分解所需的能量是来源于被吸收光子，因此如果使用光谱范围极窄的激光器作为光源，就可以实现只有特定的气体分子吸收光子进行需要的反应裂解，从而提高薄膜沉积工艺的稳定性和可重复性。光CVD有着一些明显特点:(1) 有效地降低了基底加工温度，在100℃的基底温度(甚至在室温条件下)便可进行膜沉积。这就避免了因高温工艺带来的诸如反应系统对样品的沾污、气相自掺杂、杂质迁移、以及晶片翘曲因等离子体轰击而造成的晶格损伤等有害影响。(2)所沉积的膜厚均匀一致，台阶复盖性好，膜结构及电学特性均有所改善。(3) 提高了膜层沉积速率。(4) 十分适于微区膜沉积，这在集成电路的微区修补中具有重要的实际应用，工艺过程大为简化