3D晶圆级封装，英文简称（WLP)，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括：多功能、高效能；大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。3D封装的分类 一：封装趋势是叠层封(PoP)；低产率芯片似乎倾向于PoP。二：多芯片封装(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。三：以系统级封装(SiP)技术为主，其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造，然后在一个SiP封装内结合在一起。目前的大多数闪存都采用多芯片封装（MCP，Multichip Package），这种封装，通常把ROM和RAM封装在一块儿。多芯封装（MCP）技术是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(裸芯片及片式元器件)组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。技术上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。但随着Flash闪存以及DRAM闪存追求体积的小化，该封装技术由于使用了金属丝焊接，在带宽和所占空间比例上都存在劣势，而WSP封装技术将会是一个更好解决方案。 3D封装的IC制造工艺 离子注入 Ion Implantation晶圆衬底是纯硅材料的，不导电或导电性极弱。为了在芯片内具有导电性，必须在晶圆里掺入微量的不纯物质，通常是砷、硼、磷。掺杂可以在扩散炉中进行，也可以采用离子注入实现。一些先进的应用都是采用离子注入掺杂的。离子注入有中电流离子注入、大电流/低能量离子注入、高能量离子注入三种，适于不同的应用需求。热处理 Thermal Processing利用热能将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。