单晶无位错生长（dislocation-free crystal growth），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，制备无位错单晶的技术。位错是晶体中的一种缺陷，存在于器件有源区中的位错会使器件性能劣化，甚至失效。生长无位错、结构完美的半导体单晶材料对半导体器件研究及生产具有重要意义。但不是所有半导体材料都能拉制成无位错单晶。而硅是拉制无位错单晶最成功的一种材料。在生长无位错单晶中，控制的难易程度主要取决于半导体材料热导率和临界切应力等物理和机械性能（见表）。某些半导体材料的主要物理和机械性能材料性能熔点/℃热导率/（W•cm-1•k-1）临界切应力/MPaSi14200.211.85Ge9600.170.70GaAs12380.070.40InP10700.100.36CdTe10920.010.11生长无位错硅单晶，一般都采用Dash的缩颈技术，即籽晶与熔体接触后，采用大于3～4毫米/分的高拉速，将生长的晶体直径缩小并保持一定长度。一般取直径与长度比为1∶10。如果籽晶与熔体熔接时受到热冲击，本为无位错籽晶便又产生了位错。